行业研究报告:我国电力电子器件市场分析

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我国电力电子器件市场分析产品(详细信息)

我国电力电子器件市场分析:行业研究报告 内容来自中机院机电市场研究所

表1 2006-2010年电力电子器件行业运行数据

数据来源:国家统计局,中国机电数据网 内容来自中机院机电市场研究所
  2005年,我国电力电子器件市场规模达到531亿元,生产企业数量有731家。到“十一五”末期,我国电力电子器件行业有了长足的进步,2010年,我国电力电子器件行业销售收入达到1235亿元,相比2005年销售收入增长近1.5倍;行业生产企业数量增长至1674家,比“十五”末期增加近1000家。
  从功率半导体的产品分类来看,普通二极管、三极管国内的自给率已经很高,但是在高档的功率二极管,大部分还依赖进口,国内的产品性能还有不小的差距;晶闸管类器件产业成熟,种类齐全,普通晶闸管、快速晶闸管、超大功率晶闸管、光控晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、高频晶闸管都能生产;在功率管领域,逐步有国内的企业技术水平上升到MOS工艺,MOSFET的产业有一定规模,进口替代已然开始;IGBT、FRD已经有所突破,FRD初见规模。IGBT从封装起步向芯片设计制造发展,从PT结构向NPT发展,沟槽工艺正在开发中。
  从功率半导体产业链来看,设计上国内IGBT还处于研制阶段,还没有商品化的IGBT投入市场;制造方面,IGBT对于技术要求较高,国内企业还没有从事IGBT生产。考虑到IP保护以及技术因素的限制,外资IDM厂商也没有在国内进行IGBT晶圆制造和封装的代工;而封装方面我国只有少数企业从事中小功率IGBT的封装,而且尚未形成规模化生产,在IGBT芯片的产业化以及大功率IGBT封装领域的技术更是一片空白。 中机院机电市场研究所

  从功率半导体工艺发展来看:
  1、BCD工艺已从无到有,从低压向高压发展,从硅基向SOI基发展。
  2、从封装起步向芯片设计制造发展,从PT结构向NPT发展,沟槽工艺正在开发中。
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