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未来几年中，世界单晶硅材料发展将呈现以下发展趋势：

微型化随着半导体材料技术的发展，对硅片的规格和质量也提出更高的要求，适合微细加工的大直径硅片在市场中的需求比例将日益加大。硅片主流1产品是200mm，逐渐向300mm过渡，研制水平达到400mm～450mm。据统计，200mm硅片的全球用量占60%左右，150mm占20%左右，其余占20%左右。Gartner发布的对硅片需求的5年预测表明，全球300mm硅片将从2000年的1.3%增加到2006年的21.1%。日、美、韩等国家都已经在1999年开始逐步扩大300mm硅片产量。

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成本下降为单晶提供更好的发展土壤

　　平价上网是光伏行业人士共同谋求的未来。而光伏组件及系统建造成本的不断下降是实现光伏平价上网的重要途径。要降低光伏系统建造成本的方法只有提高光伏组件的转换效率。现今国内光伏累计装机容量已超过28GW，单晶边皮料回收厂商，并以每年大于10GW的速度增长。

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单晶硅制备与仿1真主要有两种方法：直拉法（Cz法）、区熔法（FZ法）；

区熔法区熔法可用于制备单晶和提纯材料，单晶边皮料，还可得到均匀的杂质分布。这种技术可用于生产纯度很高的半导体、金属、合金、无机和有机化合物晶体。在区熔法制备硅单晶中，往往是将区熔提纯与制备单晶结合在一起，能生长出质量较好的中高阻硅单晶[5]  。区熔单晶炉主要包括：双层水冷炉室、长方形钢化玻璃观察窗、上轴（夹多晶棒）、下轴（安放籽晶）、导轨、机械传送装置、基座、高频发生器和高频加热线圈、系统控制柜真空系统及气体供给控制系统等组成。