SU-8 2005 光刻胶/紫外光刻胶/负性光刻胶

简介：

中芯启恒SU-8 2000系列光刻胶是负性光刻胶，在超厚度胶膜涂布工艺中，图案化的结构有较好的稳定性和高分辨率，其膜厚范围比任何其他市售光刻胶更广泛，单次旋涂工艺胶膜厚度可选1-300um范围，可根据需要进行多次旋涂，从而获得更厚的胶膜。自2019年推出后，受到了同行业客户的青睐，在MEMS微加工领域占据越来越多的市场份额。

中芯启恒SU-8 2000系列光刻胶根据粘度不同，划分为以下型号：

备注：不同膜厚可通过调节匀胶机转速获得，因客户实验设备不同，实际参数需进行微调。

中芯启恒SU-8-2000系列光刻胶推荐使用I线365nm紫外曝光，可选设备Cchip-0019型光刻机，也可使用电子束或X射线辐照。光刻胶中的光引发剂吸收光子发生化学反应，生成一种强酸，作用是在中烘或后烘过程中作为酸催化剂促进交联反应的发生，只有曝光区域的光刻胶中才有强酸。后烘过程中，曝光区域在强酸的催化作用下，分子发生交联。 环氧交联发生在曝光后的烘烤步骤；一般工艺流程为：旋涂、软烘、曝光、中烘、显影。后烘或硬烘可以提高图案的分辨率或因应力出现的裂纹，增加图案与衬底的粘附力。 

衬底制备

加工环境要求洁净 ，衬底要求清洁并干燥。方法是，使用食人鱼洗液清洗、超纯水冲洗，可以通过等离子机清洗，表面亲水化处理，放在150-200摄氏度加热台烘15分钟；必要时可使用HDMS引物做增粘处理。

涂布

SU-8 2000光刻胶（photoresist）根据粘度不同划分型号如下：

SU-8 2005 、SU-8 2015、SU-8 2025、SU-8 2050、SU-8 2075、SU-8 2100

旋涂膜厚、转速等参数作为参考，实际旋涂数据可根据需要进行微调。

推荐方案

1）保证光刻胶使用环境清洁，不推荐使用吸管等取样物品。

2）使用倾倒方式，将光刻胶转移至衬底，注意用量，薄胶防止泄露。

3）利用重力将光刻胶匀满衬底，方便旋涂。