掺杂氮化镓配方工艺技术专题资料光盘
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成都市
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本套资料包括专利技术全文资料56份，全部包括在一张光盘内。本套资料共收费200元。
光盘包含技术的目录如下(鉴于版面显示，我们仅列出前5项技术的摘要信息，更多信息将以光盘形式提供)：
序号 技术名称
1 氮化镓晶体生长方法、氮化镓晶体衬底、外延晶片制造方法和外延晶片
[技术摘要] 提供氮化镓晶体生长方法、氮化镓晶体衬底、外延晶片制造方法和外延晶片，其能够抑制在减小厚度操作期间在晶体上出现裂缝，以及能够生长具有相当大厚度的氮化镓晶体。在本发明一个方面的氮化镓晶体生长方法是，采用载气、氮化镓前驱物和含作为掺杂剂的硅的气体，并且通过氢化物气相外延(HVPE)在下衬底上生长氮化镓晶体的方法。该氮化镓晶体生长方法的特征在于，在氮化镓晶体生长期间载气**为-60℃或以下。
2 激光诱导下的氮化镓P型欧姆接触制备方法
[技术摘要] 涉及一种激光诱导下GaN P-型欧姆接触制备方法。其步骤为在GaN表面淀积金属锌，将Zn/GaN预热，激光辐照，用激光诱导方法掺Zn的样品表面上，淀积Ni(70nm)/Au(200nm)或Zn(70nm)/Au(200nm)双层金属，光刻形成电极，退*。对中、强型p-型掺杂的GaN基材料和弱p型掺杂的GaN样品制备欧姆接触均有效。对于弱p-型掺杂的GaN样品：当采用Ni/Au双层金属接触时，比接触电阻可达2.10×10-4
3 改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构
[技术摘要] 一种改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构，包括：一蓝宝石衬底或碳化硅衬底或硅衬底；一高阻氮化镓缓冲层，该高阻氮化镓缓冲层制作在衬底上；一薄层非故意掺杂铝镓氮插入层，该非故意掺杂铝镓氮插入层制作在高阻氮化镓缓冲层上；一高迁移率氮化镓沟道层，该高迁移率氮化镓沟道层制作在非故意掺杂铝镓氮插入层上；一非故意掺杂铝镓氮空间隔离层，该非故意掺杂铝镓氮空间隔离层制作在高迁移率氮化镓沟道层上；一n型掺杂铝镓氮载流子供给层，该n型掺杂铝镓氮载流子供给层制作在非故意掺杂铝镓氮空间隔离层上；一非故意掺杂铝镓氮盖帽层，该非故意掺杂铝镓氮盖帽层制作在n型掺杂铝镓氮载流子供给层上。
4 氮化镓系发光二极管
[技术摘要] 本发明涉及一种氮化镓系发光二极管。其结构与现有的氮化镓系发光二极管最主要的差异是，利用氮化硅(SiN)、氮化硅与未掺杂的氮化铟镓(InGaN)形成的短周期(Short Period)超晶格(Superlattice)结构、和氮化硅与未掺杂的氮化铝铟镓(AlGaInN)形成的短周期超晶格结构中的一种，形成位于p型接触层上的薄层。在该薄层上，由于其氮化硅材质的成长，使得氮化镓系发光二极管的表面被*粗化。这样，可以避免氮化镓系发光二极管比空气具有高的折射率导致内部全反射，进而提升氮化镓系发光二极管的外部量子效率以及发光效率。
5 生长氮化镓晶体的方法
[技术摘要] 本发明公开了一种氮化镓晶体的生长方法，包括：在地衬底(U)上，部分形成抑制氮化镓晶体外延生长的掩模(M)的步骤；和在掺杂碳的同时，在形成了掩模(M)的地衬底(U)上外延生长氮化镓晶体的步骤。在外延生长中，第一晶体区从掩模(M)外围朝着内部生长。在所述第一晶体区中c轴方向相对于地衬底(U)中没有形成掩模(M)的区域上生长的第二晶体区反转。
6 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法
7 氮化镓多重量子井发光二极管的n型接触层结构
8 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
9 一种锰掺杂氮化镓室温铁磁纳米材料及其制备方法
10 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
11 氮化镓(GaN)类化合物半导体装置及其制造方法
12 表面粗化的氮化镓系发光元件及其制造方法
13 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
14 往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
15 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法
32 氮化镓晶体的制造方法
44 P型氮化镓电极的制备方法
45 提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法
46 镁掺杂氮化镓基材料和发光二极管P型氮化镓的激活方法
47 一种氮化镓基LED外延片及其生长方法
48 具有氮化镓基的辐射外延层的发光二极管芯片及制造方法
49 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法
50 氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法
51 提高氮化镓高电子迁移率晶体管线性度的方法
52 提高氮化镓基LED抗静电能力的方法及氮化镓基LED结构
53 一种用于制备稀土掺杂氮化镓发光薄膜的方法和装置
54 具有基于氮化镓的辐射外延层序列的发光二极管芯片及其制造方法
55 带有氮化镓有源层的双异质结发光二极管
56 氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件和灯
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本套资料包括专利技术全文资料56份，全部包括在一张光盘内。本套资料共收费200元全国市区范围可免费货到付款。
订购电话：028-66923316-1(分机) 在线订购QQ:459046209
值班电话：18982190230/15328023369 （周一至周六18：00以后，周日及法定节假日全天）
以上所有技术资料集成在一张光盘内，是PDF格式的电子图书（非视频或录像)，光盘自带浏览器，所有Windows电脑均可查看，可以快递光盘也可以通过QQ、旺旺或电子邮件传送。化工、材料、医药类的资料包括原材料的配方配比，制造工艺，质量标准和工艺流程等，机械、设备、装置类的资料包括详细的设计方案，设计原理，附带有设计的结构原理图纸和图解说明，所有资料均包括技术发明人的姓名、联系地址、权利要求等信息，是企业和个人了解市场，开发技术、生产产品不可多得的参考资料。
(成都市掺杂氮化镓厂家)
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序号 技术名称
1 氮化镓晶体生长方法、氮化镓晶体衬底、外延晶片制造方法和外延晶片
[技术摘要] 提供氮化镓晶体生长方法、氮化镓晶体衬底、外延晶片制造方法和外延晶片，其能够抑制在减小厚度操作期间在晶体上出现裂缝，以及能够生长具有相当大厚度的氮化镓晶体。在本发明一个方面的氮化镓晶体生长方法是，采用载气、氮化镓前驱物和含作为掺杂剂的硅的气体，并且通过氢化物气相外延(HVPE)在下衬底上生长氮化镓晶体的方法。该氮化镓晶体生长方法的特征在于，在氮化镓晶体生长期间载气**为-60℃或以下。
2 激光诱导下的氮化镓P型欧姆接触制备方法
[技术摘要] 涉及一种激光诱导下GaN P-型欧姆接触制备方法。其步骤为在GaN表面淀积金属锌，将Zn/GaN预热，激光辐照，用激光诱导方法掺Zn的样品表面上，淀积Ni(70nm)/Au(200nm)或Zn(70nm)/Au(200nm)双层金属，光刻形成电极，退*。对中、强型p-型掺杂的GaN基材料和弱p型掺杂的GaN样品制备欧姆接触均有效。对于弱p-型掺杂的GaN样品：当采用Ni/Au双层金属接触时，比接触电阻可达2.10×10-4
3 改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构
[技术摘要] 一种改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构，包括：一蓝宝石衬底或碳化硅衬底或硅衬底；一高阻氮化镓缓冲层，该高阻氮化镓缓冲层制作在衬底上；一薄层非故意掺杂铝镓氮插入层，该非故意掺杂铝镓氮插入层制作在高阻氮化镓缓冲层上；一高迁移率氮化镓沟道层，该高迁移率氮化镓沟道层制作在非故意掺杂铝镓氮插入层上；一非故意掺杂铝镓氮空间隔离层，该非故意掺杂铝镓氮空间隔离层制作在高迁移率氮化镓沟道层上；一n型掺杂铝镓氮载流子供给层，该n型掺杂铝镓氮载流子供给层制作在非故意掺杂铝镓氮空间隔离层上；一非故意掺杂铝镓氮盖帽层，该非故意掺杂铝镓氮盖帽层制作在n型掺杂铝镓氮载流子供给层上。
4 氮化镓系发光二极管
[技术摘要] 本发明涉及一种氮化镓系发光二极管。其结构与现有的氮化镓系发光二极管最主要的差异是，利用氮化硅(SiN)、氮化硅与未掺杂的氮化铟镓(InGaN)形成的短周期(Short Period)超晶格(Superlattice)结构、和氮化硅与未掺杂的氮化铝铟镓(AlGaInN)形成的短周期超晶格结构中的一种，形成位于p型接触层上的薄层。在该薄层上，由于其氮化硅材质的成长，使得氮化镓系发光二极管的表面被*粗化。这样，可以避免氮化镓系发光二极管比空气具有高的折射率导致内部全反射，进而提升氮化镓系发光二极管的外部量子效率以及发光效率。
5 生长氮化镓晶体的方法
[技术摘要] 本发明公开了一种氮化镓晶体的生长方法，包括：在地衬底(U)上，部分形成抑制氮化镓晶体外延生长的掩模(M)的步骤；和在掺杂碳的同时，在形成了掩模(M)的地衬底(U)上外延生长氮化镓晶体的步骤。在外延生长中，第一晶体区从掩模(M)外围朝着内部生长。在所述第一晶体区中c轴方向相对于地衬底(U)中没有形成掩模(M)的区域上生长的第二晶体区反转。
6 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法
7 氮化镓多重量子井发光二极管的n型接触层结构
8 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
9 一种锰掺杂氮化镓室温铁磁纳米材料及其制备方法
10 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
11 氮化镓(GaN)类化合物半导体装置及其制造方法
12 表面粗化的氮化镓系发光元件及其制造方法
13 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
14 往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
15 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法
联
16 铝镓氮 氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法系
17 具有低温成长低电阻值P型接触层的氮化镓系发光二极管电
18 氮化镓系列化合物半导体元件话
19 具有氮化镓基的辐射外延层的发光二极管芯片及制造方法0
20 一种**高线性氮化镓高电子迁移率晶体管2
21 基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法8
22 氮化镓发光二极管结构|
23 在硅衬底上实现氮化镓薄膜低温沉积的方法6
24 氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫外***及制作方法6
25 提高氮化镓高电子迁移率晶体管特征频率和线性度的方法9
26 氮化镓系化合物半导体发光元件及其窗户层结构2
27 往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板3
28 适用于氮化镓器件的钛 铝 钛 铂 金欧姆接触系统3
29 氮化镓类化合物半导体发光元件及其制造方法1
30 具有低电流集边效应的金属 氮化镓铝 氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法6
31 利用铟掺杂提高氮化镓基晶体管材料与器件性能的方法32 氮化镓晶体的制造方法
1
33 一种制备氮化镓薄膜装置中的气路系统8
34 氮化镓类半导体元件及其制造方法9
35 激光诱导下的氮化镓P型有效掺杂制备方法8
36 一种抗静电氮化镓基发光器件及其制作方法2
37 氮化镓半导体器件1
38 高亮度氮化镓类发光二极体结构9
39 氮化镓系异质结构光二极体0
40 具有增强发光亮度的氮化镓发光二极管结构2
41 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法3
42 一种制造重掺杂氮化镓场效应晶体管的方法0
43 氮化镓衬底和氮化镓膜淀积方法44 P型氮化镓电极的制备方法
45 提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法
46 镁掺杂氮化镓基材料和发光二极管P型氮化镓的激活方法
47 一种氮化镓基LED外延片及其生长方法
48 具有氮化镓基的辐射外延层的发光二极管芯片及制造方法
49 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法
50 氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法
51 提高氮化镓高电子迁移率晶体管线性度的方法
52 提高氮化镓基LED抗静电能力的方法及氮化镓基LED结构
53 一种用于制备稀土掺杂氮化镓发光薄膜的方法和装置
54 具有基于氮化镓的辐射外延层序列的发光二极管芯片及其制造方法
55 带有氮化镓有源层的双异质结发光二极管
56 氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件和灯
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