功率MOSFET,MEM2301,MEM2301南京微盟一级代理商
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深圳市
产品详情（深圳市南京微盟一级代理厂家）
产品详细说明
品牌:Micro One 型号:MEM2301 封装:SOT23 批号:2011 类型:其他IC
产品名称
通道
VDS(Max)
VGS
ID电流
导通电阻
封装形式
MEM2301
PMOS
－20V
-8V
-3.1A
100mΩ
SOT23
描述:
MEM2301系列P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻.MEM2301适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。
特点:
●-20V/-2.8A
●RDS(ON) =93mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-2.8A
●RDS(ON) =113mΩ@ VGS=-2.5V,ID=-2A
●超大密度单元、极小的RDS(ON)）
●超小封装：SOT23
应用:
●电源管理
●负载开关
●电池保护
一级代理 低价抛货
量大价优，支持客户小批量拿，可送样，上批量包邮，我们将努力做到让您满意！
(深圳市南京微盟一级代理厂家)
功率MOSFET,MEM2301,MEM2301南京微盟一级代理商
品牌:Micro One 型号:MEM2301 封装:SOT23 批号:2011 类型:其他IC
产品名称
通道
VDS(Max)
VGS
ID电流
导通电阻
封装形式
MEM2301
PMOS
－20V
-8V
-3.1A
100mΩ
SOT23
描述:
MEM2301系列P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻.MEM2301适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。
特点:
●-20V/-2.8A
●RDS(ON) =93mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-2.8A
●RDS(ON) =113mΩ@ VGS=-2.5V,ID=-2A
●超大密度单元、极小的RDS(ON)）
●超小封装：SOT23
应用:
●电源管理
●负载开关
●电池保护
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