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真空镀膜设备主要指一类需要在较高真空度下进行的镀膜，具体包括很多种类，包括真空离子蒸发，磁控溅射，MBE分子束外延，PLD激光溅射沉积等很多种。主要思路是分成蒸发和溅射两种。
需要镀膜的被成为基片，镀的材料被成为靶材。 基片与靶材同在真空腔中。
蒸发镀膜一般是加热靶材使表面组分以原子团或离子形式被蒸发出来，并且沉降在基片表面，通过成膜过程（散点－岛状结构-迷走结构-层状生长）形成薄膜。 对于溅射类镀膜，可以简单理解为利用电子或高能激光轰击靶材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且最终沉积在基片表面，经历成膜过程，最终形成薄膜。
电镀厚度表示方法
电镀厚度：在现在电子连接器端子的电镀厚度的表示法有a .μ``.微英寸，b. μm,微米, 1 μm约等于40μ``.
1.Tin—Lead Alloy Plating :锡铅合金电镀
作为焊接用途,一般膜厚在100~150μ``最多.
2.Nickel Plating 镍电镀
现在电子连接器皆以打底(underplating)，故在50μ``以上为一般规格，较低的规格为30μ``，(可能考虑到折弯或者成本)
3.Gold Plating 金电镀
为昂贵的电镀加工,故一般电子业在选用规格时,考虑到其实用环境、使用对象,制造成本,若需通过一般强腐蚀实验必须在50μ``以上 .
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