化学气相沉积的分类
化学气相沉积的方法很多,如常压化学气相沉积(Atmospheric pressure CVD,APCVD)、低压化学气相沉积(Low pressure CVD,LPCVD)、超高真空化学气相沉积(Ultrahigh vacuum CVD,UHVCVD)、激光化学气相沉积(Laser CVD,LCVD)、金属有机物化学气相沉积(Metal-organic CVD,MOCVD),等离子体增强化学气相沉积(Plasma enhanced CVD,PECVD)等。
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ICP刻蚀机的结构
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ICP设备主要包括预真空室、刻蚀腔、供气系统和真空系统四部分。
(1)预真空室预真空室的作用是确保刻蚀腔内维持在设定的真空度,不受外界环境(如:粉尘、水汽)的影响,气相化学沉积销售,将危险性气体与洁净厂房隔离开来。它由盖板、机械手、传动机构、隔离门等组成。
(2)刻蚀腔体刻蚀腔体是ICP 刻蚀设备的核心结构,气相化学沉积多少钱,它对刻蚀速率、刻蚀的垂直度以及粗糙度都有直接的影响。刻蚀腔的主要组成有:上电极、ICP 射频单元、RF 射频单元、下电极系统、控温系统等组成。
(3)供气系统供气系统是向刻蚀腔体输送各种刻蚀气体,气相化学沉积价格,通过压力控制器(PC)和质量流量控制器(MFC)精准的控制气体的流速和流量。气体供应系统由气源瓶、气体输送管道、控制系统、混合单元等组成。
(4)真空系统真空系统有两套,分别用于预真空室和刻蚀腔体。预真空室由机械泵单独抽真空,只有在预真空室真空度达到设定值时,才能打开隔离门,进行传送片。刻蚀腔体的真空由机械泵和分子泵共同提供,刻蚀腔体反应生成的气体也由真空系统排空。
化学气相沉积法简介
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化学气相堆积(简称CVD)是反响物质在气态条件下发生化学反响,生成固态物质堆积在加热的固态基体外表,进而制得固体资料的工艺技术。它本质上归于原子领域的气态传质进程。
化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机资料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研发新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜资料。这些资料可所以氧化物、硫化物、氮化物、碳化物,也可所以III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物,并且它们的物理功用能够通过气相掺杂的淀积进程准确操控。现在,化学气相淀积已成为无机合成化学的一个新领域。