镀膜机-AF光学镀膜机-至成真空科技

真空镀膜机镀膜层厚度范围真空镀膜机能够沉积的镀膜层厚度范围为0.01-0.2，可以在这个范围内选择，有的还可以镀多层膜，满足多种需要。日本专利提出沉积两种不同镀膜材料的卷绕式蒸镀装置。该装置的真空室分为上室，左下室和右下室。蒸镀时，两组蒸发源蒸发的镀膜材料分别沉积在塑料薄膜上，在塑料薄膜没有蒸镀的一侧，装上辉光放电发生器。发生器产生的辉光放电气体能防止塑料薄膜起皱。使用这套装置可以在极薄的塑料薄膜上镀上无折皱的多层膜，用于制磁带和薄膜太阳能电池等。

真空镀膜机使用前的准备工作

在使用真空镀膜机前，必须详阅使用说明书，熟悉整机结构原理，各部件的作用和操作方法。

1、确认水、电、气均已安装无误后，先试运行滑阀泵、罗茨泵，其转动方向要与各泵规定的方向一致。

2、检查设备的各个动力传动装置运转是否正常。

3、检查卷绕车的开动情况，检查卷绕车与真空罐对接的密封是否可靠，检查装于导轨上的各个行程开关是否工作正常，检查履带的安放及定位情况是否完好。

4、按照从低真空到高真空的次序，逐级调试真空系统，检查各个环节的密封是否可靠，各个阀门开闭是否灵活，霍尔开关位置是否正确，各真空泵均应运转平稳、无异常振动、无异常噪音。

真空镀膜机溅射工艺

真空镀膜机溅射工艺主要用于真空镀膜机溅射刻蚀和薄膜沉积两个方面。溅射刻蚀时，被刻蚀的材料置于靶极位置，受Ar离子的轰击进行刻蚀。刻蚀速率与靶极材料的溅射产额、离子流密度和溅射室的真空度等因素有关。真空镀膜机溅射刻蚀时，应尽可能从真空镀膜机溅射室中除去溅出的靶极原子。常用的方法是引入反应气体，使之与溅出的靶极原子反应生成挥发性气体，通过真空系统从溅射室中排出。沉积薄膜时，溅射源置于靶极，受Ar离子轰击后发生溅射。如果靶材是单质的，则在衬底上生成靶极物质的单质薄膜；若在溅射室内有意识地引入反应气体，使之与溅出的靶材原子发生化学反应而淀积于衬底，便可形成靶极材料的化合物薄膜。通常，制取化合物或合金薄膜是用化合物或合金靶直接进行溅射而得。在溅射中，溅出的原子是与具有数千电子伏的高能离子交换能量后飞溅出来的，其能量较高，往往比蒸发原子高出1～2个数量级，因而用溅射法形成的薄膜与衬底的粘附性较蒸发为佳。

若在溅射时衬底加适当的偏压，可以兼顾衬底的清洁处理，这对生成薄膜的台阶覆盖也有好处。另外，用真空镀膜机溅射法可以制备不能用蒸发工艺制备的高熔点、低蒸气压物质膜，便于制备化合物或合金的薄膜。溅射主要有离子束溅射和等离子体溅射两种方法。离子束溅射装置中，由离子枪提供一定能量的定向离子束轰击靶极产生溅射。离子枪可以兼作衬底的清洁处理和对靶极的溅射。为避免在绝缘的固体表面产生电荷堆积，可采用荷能中性束的溅射。中性束是荷能正离子在脱离离子枪之前由电子中和所致。离子束溅射广泛应用于表面分析仪器中，对样品进行清洁处理或剥层处理。由于束斑大小有限，用于大面积衬底的快速薄膜淀积尚有困难。等离子体真空镀膜机溅射也称辉光放电溅射。产生溅射所需的正离子来源于辉光放电中的等离子区。靶极表面必须是一个高的负电位，正离子被此电场加速后获得动能轰击靶极产生溅射，同时不可避免地发生电子对衬底的轰击。