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背电场:
A 级:
背电场完整,厚薄均匀,允许有缺失,缺失面积不超过背电场总面积的 5% ,变色面积不超过背电场面积的 15% 。
新的标准:背电场完整,厚薄均匀,不允许有缺失
B 级:
允许有缺失,缺失面积不超过背电场总面积的 10% ,变色面积不超过背电场面积的 30% 。
新的标准:允许有缺失,缺失面积不超过背电场总面积的 5% ,变色面积不超过背电场面积的 15% 。
C 级:
允许有缺失,缺失面积不超过背电场总面积的 10% ,变色面积不超过背电场面积的 50% 。
新的标准:缺失面积不超过背电场总面积的 5% ,变色面积不超过背电场面积的 50% 。
粗点:
A 级:
粗点宽度≤ 0.18mm ,个数小于 2 个
新的标准:不允许有粗点
B 级:
粗点宽度≤ 0.25mm ,个数小于 5 个
新的标准:允许有粗点,粗点宽度≤ 0.18mm ,个数小于 2 个
C ?级:
粗点宽度≤ 0.3mm ,个数小于 8 个
新的标准:当主栅线或副栅线有明显粗细不均时,应用刻度显微镜进行查检。
振鑫焱光伏科技有限责任公司长期购置:天价回收硅片,电池片,初中级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳电池,太阳能组件,太阳能光伏板,顾客撤离,退级,库存量,El,欠佳检测,2手,旧,工程项目,拆装,道路路灯,拆卸发电厂,拆装,人造板,层压板,无界限结晶硅,多晶硅,单晶硅,试验板,负债,返修,太阳能发电控制模块等。?
单晶硅片?
当今开发设计得更快的这种太阳电池,它的组成和生产工艺流程已定形,商品已普遍用以宇宙空间和路面设备。这类太阳电池以高纯度的单晶硅棒为原材料,纯净度规定99.999%。以便降低成本成本费,如今路面运用的太阳电池等选用太阳能发电级的单晶硅棒,原材料性能参数有一定的放开。有的也可应用集成电路工艺生产加工的头尾料和废次单晶硅原材料,历经复拉做成太阳电池专用型的单晶硅棒。将单晶硅棒切一片,通常片厚约0.3mm。硅片历经成型、研磨抛光、清理等工艺流程,做成待生产加工的原材料硅片。生产加工太阳电池片,先要在硅片上夹杂和外扩散,通常夹杂物为微量分析的硼、磷、锑等。外扩散是在石英管做成的高溫扩散炉中开展。那样就在硅片上产生P/FONT>N 结。然后采用丝网印刷法,将配好的银浆印在硅片上做成栅线,经过烧结,同时制成背电极,并在有栅线的面涂覆减反射源,以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉,至此,单晶硅太阳电池的单体片就制成了。单体片经过抽查检验,即可按所需要的规格组装成太阳电池组件(太阳电池板),用串联和并联的方法构成一定的输出电压和电流,后用框架和封装材料进行封装。用户根据系统设计,可将太阳电池组件组成各种大小不同的太阳电池方阵,亦称太阳电池阵列。目前单晶硅太阳电池的光电转换效率为 15% 左右,实验室成果也有 20% 以上的。用于宇宙空间站的还有高达 50% 以上的太阳能电池板。
电池片的检验
一十三、印刷图型?
主栅线:?
A级:主栅线容许有轻度断开、缺少、歪曲、突显,断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的5%,歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm,不容许有掉色状况(烧糊、变黄)?
新的规范:主栅大小匀称,不容许有断开,缺少、歪曲及其突显。?
B级:断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的10%,歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm,不容许有掉色状况(烧糊、变黄)?
新的规范:主栅大小匀称,容许有断开,缺少总面积不超出主栅线总面积的5%,歪曲突显不超出一切正常部位的0.2mm,不容许有掉色状况(烧糊、变黄)?
C级:断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的20%,歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm,不容许有掉色状况?
新的规范:主栅线:断开,缺少总面积不超出主栅线总面积的20%,歪曲、突显不超出一切正常部位的0.5mm,?
副栅线:?
A级:副栅线容许大小不匀称,存有总宽超过0.13mm,低于18mm的副栅线,段栅线≤6条,断开间距≤2mm,容许有轻度虚印、缺印,总面积低于电级占地面积的5%.
新的规范:副栅线清楚,容许有两根栅线存有断开,断掉总数≤3条,断掉间距≤0.5mm;不容许有一切虚印、粗点;不容许有掉色状况。?
B级:容许大小不匀称,存有总宽≤0.25mm的副栅线,段栅线≤10条,断开间距≤2mm,容许有轻度虚印、缺印,总面积低于电级占地面积的10%.?