供应多晶硅硅半导体冶炼

本文首先介绍何谓多晶硅， 以及多晶硅的一些性质及制造的工艺 流程，和在生产中带来的一些危害。 接着会介绍多晶硅的利用价值和工业发展前景。 最后会介绍些国际多晶硅的概况。
    正文
    多晶硅 多晶硅;polycrystalline silico，多晶硅是单质硅的一种形态。熔 融的单质硅在过冷条件下凝固时， 硅原子以金刚石晶格形态排列成许 多晶核， 如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒， 则这些晶粒结合起来， 就结晶成多晶硅。 多晶硅具有灰色金属光泽，密度 2.32~2.34，熔点 1410℃，沸点 2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度 介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至 800℃以上 即有延性， 1300℃时显出明显变形。 常温下不活泼， 高温下与氧、 氮、 硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何
    材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量 的杂质即可大大影响其导电性。 电子工业中广泛用于制造半导体收音 机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由 干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还 原而得。 多晶硅可作拉制单晶硅的原料， 多晶硅与单晶硅的差异主要表现 在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异 性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性 也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两 者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别 须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。 制造多晶硅的原料与方法 多晶硅的制造方法不同，原料也就不同。除了改良西门子方法外 还有浇铸法、直熔法、硅烷热分解法、流化床法等。 1、浇铸法 浇铸法于 1975 年由 Wakcer 公司首创并用来制备多晶硅材料， 其 工艺过程是将硅料置于预熔坩埚内融化， 而后利用翻转机械将其注入 预先准备好的凝固坩埚内进行结晶， 结晶时必须控制固液界面的温度 梯度，保证固液界面在同一平面上，最终使硅熔体结晶。 浇铸法工艺成熟，这杯简单，易于操作控制，且能实现半连续化 生产，其熔化、结晶、冷却都分别位于不同的地方，有利于生产效率 的提高和能耗的降低。由于浇铸法所使用的坩埚材料多为石墨、石英
    等，并且熔化和结晶使用不同的坩埚，硅锭二次污染严重，所以用该 法制备的多晶硅杂质元素的含量较高， 同时受熔炼坩埚及翻转机械的 限制，炉产量较小。
(郑州市多晶硅硅半导体冶炼厂家)
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