供应金刚石碳工艺制作技术专题/氮化铁/四硫/钨铝/真空氮类资料
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成都市
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关键字：氮化铁；四硫；钨铝；真空氮；摩托车制动器。
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本套资料包括专利技术全文资料32份，全部包括在一张光盘内。本套资料共收费230元。
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订购电话：028-66923316-1(分机) 在线订购QQ:459046209
值班电话：18982190230/15328023369 （周一至周六18：00以后，周日及法定节假日全天）
以下所有技术资料集成在一张光盘内，是PDF格式的电子图书（非视频或录像)，光盘自带浏览器，所有Windows电脑均可查看，可以快递光盘也可以通过QQ、旺旺或电子邮件传送。化工、材料、医药类的资料包括原材料的配方配比，制造工艺，质量标准和工艺流程等，机械、设备、装置类的资料包括详细的设计方案，设计原理，附带有设计的结构原理图纸和图解说明，所有资料均包括技术发明人的姓名、联系地址、权利要求等信息，是企业和个人了解市场，开发技术、生产产品不可多得的参考资料。
光盘包含技术的目录如下(鉴于版面显示，我们仅列出前5项技术的摘要信息，更多信息将以光盘形式提供)：
技术编号 技术名称
(编号:CC1014933-0018-0001) 含纳米金颗粒的类金刚石碳薄膜的制备方法
[技术摘要] 本发明公开了一种含纳米金颗粒的类金刚石碳薄膜的制备方法。该方法配制含有聚碳苯-氯金酸的四氢呋喃先驱体溶液，然后通过旋涂的方法将混合溶液涂附于单晶硅表面，待有机溶剂挥发后，硅表面就形成了氯金酸-聚碳苯薄膜；将涂有薄膜的硅片在氩气保护下在500-700℃温度处理1～2小时，然后自然降至室温，得到含金纳米颗粒的类金刚石碳薄膜。本发明的特点是制备过程简便，一步合成含金属纳米颗粒的类金刚石复合薄膜。该薄膜有望在机械摩擦、电化学电极、金属催化、光学等领域使用。
(编号:CC1014933-0011-0002) 阴极电弧蒸镀方式淀积类金刚石碳膜的制备方法
[技术摘要] 本发明采用阴极电弧蒸镀方式淀积类金刚石碳膜的制备方法，是利用CAE金属离子的高离子能量激发真空室中烃类气体的裂解反应而淀积高硬度、高润滑性的类金刚石碳膜，该碳膜由于内含金属成分而具有良好的韧性，另外淀积类金刚石碳膜之前可借助于同一金属弧源以CAE制备工艺先淀积一层或多层的金属、金属氮化物或金属碳化物中介层以强化类金刚石碳膜的附着性，再通过烃类气体与金属弧源等离子体产生烃类气体的裂解反应而淀积类金刚石碳膜。
(编号:CC1014933-0010-0003) 用类金刚石碳镀覆*口的方法
[技术摘要] 本发明涉及在基体（22）上形成类金刚石碳膜的方法，包括的步骤为：将所述基体**在一种烃类气体环境中，并且，在所述环境中，在高离子通量和可控的、低离子能量轰击的条件下，产生电子密度大于约5×1010
[技术摘要] 本发明公开了一种用于在磁读/写头或磁盘上形成保护性双层的方法。该保护性双层形成为粘接增强和**抵抗下层和保护类金刚石碳(DLC)上层。下层由过渡金属氮化物形成，具有通式MeOx
[技术摘要] 磁记录媒体器件表面的一种经改进的耐磨保护性被覆层，由经氟化的类金刚石碳用等离子体增强化学汽相淀积法或其它适当的方法淀积成，具有减小摩阻和静摩阻的优异性能。
(编号:CC1014933-0009-0020) 电容耦合的射频类金刚石碳反应器
(编号:CC1014933-0012-0032) 磁记录媒体器件的经氟化处理的类金刚石碳保护覆层
(成都市金刚石碳工艺制作技术专题厂家)
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技术编号 技术名称
(编号:CC1014933-0018-0001) 含纳米金颗粒的类金刚石碳薄膜的制备方法
[技术摘要] 本发明公开了一种含纳米金颗粒的类金刚石碳薄膜的制备方法。该方法配制含有聚碳苯-氯金酸的四氢呋喃先驱体溶液，然后通过旋涂的方法将混合溶液涂附于单晶硅表面，待有机溶剂挥发后，硅表面就形成了氯金酸-聚碳苯薄膜；将涂有薄膜的硅片在氩气保护下在500-700℃温度处理1～2小时，然后自然降至室温，得到含金纳米颗粒的类金刚石碳薄膜。本发明的特点是制备过程简便，一步合成含金属纳米颗粒的类金刚石复合薄膜。该薄膜有望在机械摩擦、电化学电极、金属催化、光学等领域使用。
(编号:CC1014933-0011-0002) 阴极电弧蒸镀方式淀积类金刚石碳膜的制备方法
[技术摘要] 本发明采用阴极电弧蒸镀方式淀积类金刚石碳膜的制备方法，是利用CAE金属离子的高离子能量激发真空室中烃类气体的裂解反应而淀积高硬度、高润滑性的类金刚石碳膜，该碳膜由于内含金属成分而具有良好的韧性，另外淀积类金刚石碳膜之前可借助于同一金属弧源以CAE制备工艺先淀积一层或多层的金属、金属氮化物或金属碳化物中介层以强化类金刚石碳膜的附着性，再通过烃类气体与金属弧源等离子体产生烃类气体的裂解反应而淀积类金刚石碳膜。
(编号:CC1014933-0010-0003) 用类金刚石碳镀覆*口的方法
[技术摘要] 本发明涉及在基体（22）上形成类金刚石碳膜的方法，包括的步骤为：将所述基体**在一种烃类气体环境中，并且，在所述环境中，在高离子通量和可控的、低离子能量轰击的条件下，产生电子密度大于约5×1010
联
(编号:CC1014933-0032-0004) 金属氮氧化物粘接/**阻挡层及类金刚石碳上覆层[技术摘要] 本发明公开了一种用于在磁读/写头或磁盘上形成保护性双层的方法。该保护性双层形成为粘接增强和**抵抗下层和保护类金刚石碳(DLC)上层。下层由过渡金属氮化物形成，具有通式MeOx
系
(编号:CC1014933-0004-0005) 磁记录媒体器件的经氟化处理的类金刚石碳保护覆层[技术摘要] 磁记录媒体器件表面的一种经改进的耐磨保护性被覆层，由经氟化的类金刚石碳用等离子体增强化学汽相淀积法或其它适当的方法淀积成，具有减小摩阻和静摩阻的优异性能。
电
(编号:CC1014933-0027-0006) 一种具有类金刚石碳复合层的模具话
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(编号:CC1014933-0002-0009) 含非金刚石碳的合成金刚石半成品的纯化方法8
(编号:CC1014933-0030-0010) 去除类金刚石碳膜的方法|
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(编号:CC1014933-0026-0019) 类金刚石碳硬质多层薄膜形成的物体和其制造方法(编号:CC1014933-0009-0020) 电容耦合的射频类金刚石碳反应器
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(编号:CC1014933-0001-0031) 法拉第旋转器、光学隔离器、偏振器和类金刚石碳薄膜(编号:CC1014933-0012-0032) 磁记录媒体器件的经氟化处理的类金刚石碳保护覆层
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