Hakuto离子蚀刻机20IBE-C 用于蚀刻 KDP 晶体 离子蚀刻机20IBE

某厂商研发部门采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 用于蚀刻 KDP 晶体进行抛光加工, 用以消除单点金刚石车削（SPDT）后 KDP 晶体表面留下的周期性小尺度波纹. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数如下: 离子蚀刻机 Ф4 inch X 6片 基板尺寸 < Ф3 inch X 8片 < Ф4 inch X 6片 < Ф8 inch X 1片 样品台 样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0-90度旋转 离子源 20cm 考夫曼离子源 均匀性 ±5% for 8”Ф 硅片蚀刻率 20 nm/min 温度 <100 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 产品图如上图, 其主要构件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼离子源, 触摸屏控制面板, 真空腔体, 样品台. 如下图： Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数: 离子源型号 RFICP 220 Discharge RFICP 射频 离子束流 >800 mA 离子动能 100-1200 V 栅极直径 20 cm Φ 离子束 聚焦 流量 10-40 sccm 通气 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 典型压力 < 0.5m Torr 长度 30 cm 直径 41 cm 中和器 LFN 2000 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现样品均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高样品的加工质量. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 配套的是伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700. 通过采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 刻蚀后, 单点金刚石车削后的表面由初始的6.54nm RMS, 经过 1.76nm RMS 的平坦化层, 最终刻蚀转移到 KDP 晶体表面得到 1.84nm RMS 的光滑表面. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 : 上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王女士 T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161 F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049 M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958 ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw 伯东版权所有, 翻拷必究!