非掺杂自支撑氮化镓GaN衬底片厂家高纯度氮化镓晶片
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苏州市
产品详情（苏州市非掺杂自支撑氮化镓GaN衬底片厂家）
加工定制：
是
种类：
化合物半导体
关键词：苏州市非掺杂自支撑氮化镓GaN衬底片厂家
产品参数
加工定制：是 种类：化合物半导体
产品特点
非掺杂自支撑氮化镓GaN衬底片厂家高纯度氮化镓晶片 氮化镓自支撑衬底尺寸：2inch 50.8mm±1mm 氮化镓自支撑衬底厚度：350um/400um 晶向：C-plane(0001) M Axis 0.35°±0.15° 掺杂类型：N型非掺杂/N型硅掺杂/半绝缘型铁掺杂 TTV: ≤15um BOW:≤20um 包装：晶圆盒或cassette盒 Ga面粗糙度： ＜0.2nm polished? ＜0.3nm Epi ready polished GaN氮化镓材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。
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(苏州市非掺杂自支撑氮化镓GaN衬底片厂家)
非掺杂自支撑氮化镓GaN衬底片厂家高纯度氮化镓晶片
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