鹏城半导体 高真空磁控溅射镀膜机 PC-002

产品参数

高真空磁控溅射仪是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。

　　设备关键技术特点
　　秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专*用工艺实现提供了精准的工艺设备方案。
　　靶材背面和溅射靶表面的结合处理
　　-靶材和靶面直接做到面接触是很难的，如果做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。
　　-靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。
　　-增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。

　　距离可调整
　　基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。

　　角度可调
　　磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精准调控。
　　集成一体化柜式结构
　　一体化柜式结构优点：
　　安*全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）
　　占地面积小，尺寸约为：长1100mm×宽780mm（标准办公室门是800mm宽）（传统设备大约为2200mm×1000mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。
　　控制系统
　　采用计算机＋PLC两级控制系统

　　安*全性
　　-电力系统的检测与保护
　　-设置真空检测与报警保护功能
　　-温度检测与报警保护
　　-冷却循环水系统的压力检测和流量
　　-检测与报警保护

　　匀气技术
　　工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。

　　基片加热技术
　　采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。

　　真空度更高、抽速更快
　　真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。

　　设备详情
　　设备结构及性能
　　1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室+手套箱
　　2、磁控溅射靶数量及类型：1 ～ 6 靶，圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装
　　3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装
　　4、磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容
　　5、基片可旋转、可加热
　　6、通入反应气体，可进行反应溅射镀膜7、操作方式：手动、半自动、全自动
　　工作条件
供电 ～ 380V 三相五线制
功率 根据设备规模配置
冷却水循环 根据设备规模配置
水压 1.5 ～ 2.5×10^5Pa
制冷量 根据扇热量配置
水温 18～25℃
气动部件供气压力 0.5～0.7MPa
质量流量控制器供气压力 0.05～0.2MPa
工作环境温度 10℃～40℃
工作湿度 ≤50%

　　设备主要技术指标
　　-基片托架：根据供件大小配置。
　　-基片加热器温度：根据用户供应要求配置，温度可用电脑编程控制，可控可调。
　　-基片架公转速度 ：2 ～100 转 / 分钟，可控可调；基片自转速度：2 ～20 转 / 分钟。
　　-基片架可加热、可旋转、可升降。
　　-靶面到基片距离： 30 ～ 140mm 可调。
　　-Φ2 ～Φ3 英寸平面圆形靶 2 ～ 3 支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。
　　-镀膜室的极限真空：6X10^-5Pa，恢复工作背景真空 7X10^-4Pa ，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）。
　　-设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤10Pa。

鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）、北京琨腾科技有限公司以及有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求chuangxinyinlin与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。 公司核心业务是半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造。 公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的gaoji装备设计师团队，他们具有20多年成套装备设计和生产制造经验。 公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备xianjin的半导体研发设备和检测设备，可以在高起点开展科研工作。公司已具有2500多平米洁净厂房，可开展半导体材料和组件的中试、生产，同时可进行半导体装备的生产和调试。

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