上海伯东 考夫曼离子源简介

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考夫曼离子源简介 伯东公司是美国考夫曼公司 Kuafman & Robinson,Inc（KRI) 中国总代理. KRI 考夫曼公司是由离子源发明人 Dr.Kaufman 考夫曼博士于 1978年在美国创立. KRI 考夫曼离子源历经 30 年改良及发展已取得多项砖利, 受到各领域的肯定. KRI 离子源系列产品融合一系列等离子技术,提供了好的操作与运行方式。

KRI 离子源主要分为以下几类： 无栅式端部霍尔离子源 eh eH 系列离子源可输出高离子流和低能源束。离子流达到高速运行需求的同时低能源束能够减少对设备外表面与内表面的伤害。 有栅极射频感应耦合等离子体离子源 RFICP RFICP 系列离子源可以在无灯丝的情况下提供高密度离子流.从离子流中提取的离子束能够被准确的控制以便提供设定的形状,电流密度以及离子能。 有栅极离子源 KDC KDC 系列离子源是根据典型的考夫曼离子源加强设计的。传统的离子源工艺使其能够输出高质、稳定的离子束。 电源与控制器 我们的电源与控制器操作不同种类的离子、等离子以及电子源。这些产品能够为等离子流程中的动荷作用输出平稳、连续的电源。 电子源与离子源中和器 这些电子源低能量、高电流源。它们一般应用于中和剂或阴极材料，以便控制离子源与等离子源的产量。 PTIBEAMTM 离子透镜 我们的离子束源采用耐融金属或石墨的多孔径网格。这些网格或是平的，或是中凹的，它们与多孔模式一同控制离子轨迹。离子轨迹的聚 集产生了离子束，离子电流的分布塑造了该离子束的形状特征。 离子源 KRI 考夫曼离子源 EH1010F , EH1020F …系列广泛用于镀膜之前处理 (ISSP) 及离子辅助镀膜 (IBAD)且有助于提高光学成膜之沉淀速率, 附着度, 可靠度, 增加折射率, 穿透率等. KRI 考夫曼离子源 整体设计低耗材, 安装简易, 维护简单广泛应用在生产企业和科研单位

 KRI 考夫曼离子源 EH1010F, EH1020F, EH3050F, EH5050F…系列, 目前被广泛应用于 AR, IR, 分光镜, 光学蒸镀镀膜制程, 多层膜光学镀膜制程, 低温度膜制, PVD 制程, 材料分析等等… KRI 考夫曼离子源 KRI 考夫曼离子源 HOLLOW CATHODE 系列 EH200HC, EH400HC, EH1000HC, EH2000HC … 系列不仅广泛应用于生产单位, 且因离子抨击能量强, 蚀刻效率快, 可因应多种基材特性, 单次使用长久, 耗材成本极低, 操作简易, 安装简易, 所以目前广泛应用于许多蚀刻制程及基板前处理制程. 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项砖利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理. 若您需要进一步的了解产品详细信息或讨论, 请联络上海伯东邓女士, 分机134

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