SCR可控硅静态参数测试系统 河北半导体测试行业

一、产品简介 该测试系统是晶闸管静态参数检验测试中不可缺少的专用测试设备。 该套测试设备主要有10个单元组成：门极触发参数测试单元，维持电流测试单元，阻断参数测试单元，通态压降参数测试单元，电压上升率参数测试单元，擎住电流，门极电阻，计算机控制系统，合格证标签打印和夹具单元（包含平板夹具和模块夹具） 二、技术条件 主要技术指标： 2.1 门极触发电压/门极触发电流测试单元IGT/VGT 1. 阳极电压：12V; 2. 阳极串联电阻：6Ω; 3. 门极触发电压：0.3～5.00V±3%±10mV; 4. 门极触发电流：2～450mA±3%±1 mA; 2.2 维持电流测试单元IH 1. 阳极电压：12V; 2. 预导通电流： ＞10A,正弦衰减波； 3. 维持电流： 2～450mA ±5%±1 mA; 4. 测试频率：单次； 2.3 通态压降测试单元VTM 1. 平板器件通态电流：0.10～5.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%； 2. 模块器件通态电流：0.10～2.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%； 3. 电流上升沿时间：≥5ms； 4. 通态压降测试范围： 0.20～10.00V, 分辨率：0.01V，精度±0.1 V±5%； 5. 测试频率：单次； 2.4 断态电压/断态漏电流VD/ID；反向电压/反向漏电流VR/IR测试单元 1. 阻断电压：0.20～6.00kV,分辨率：0.01kV，精度±0.1 kV±3%； 模块单元阻断电压：0.20～4.00kV 2. 正反向自动测试： 3．正/反向漏电流：0.2～100 mA,分辨率：0.1 mA； 精度：±5%±1 mA； 4. 输出保护电压和电流可计算机设定范围值；在测试时电压或漏电流超过所 设定的范围则自动保护。 5. 测试频率： 50HZ 2.5 断态电压临界上升率测试单元dv/dt 1. 电压：1200V,1600V,2000V三档，分辨率：1V，精度±5%； 2. 电压过冲范围：＜50V±10% 3. DV/DT电压上升率三挡选择：dv/dt：800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%； 2.6 擎住电流IL：100-1800mA 2.7 平板夹具压力范围：6-60KN，气动加压方式 三、功能概述 3-1测试功能范围 该套测试设备主要可测试以下参数： 1. 门极参数测试：VGT、IGT 2. 维持电流测试：IH 3. 阻断参数测试：本测试单元可用以测量晶闸管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二极管的VRRM、IRRM等参数。 4. 压降单元 本测试单元用来测量晶闸管、整流管的VTM、ITM、VFM、IFM等参数。 5、 电压上升率参数测试：dv/dt 6、 擎住电流IL 7、 门极电阻：适合门极触发电压在0.95V以上器件测试 3-2、测试方法和测试准则及原理满足 IEC 60747-6-2000 中关于晶闸管测试的具体规定。