碳化硅雪崩测试仪 上海科研院所专用

一、碳化硅雪崩测试仪，是专门设计测试IGBT、二极管、MOS管测试设备，对于那些在应用过程中功率器件两端产生较大电压的尖峰应用，就要考虑器件的雪崩能量，电压的尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用，电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量。但是，一些电源在输出短路时，初级中会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。另外，由于一些电机的负载是感性负载，而启动和堵转过程中会产生极的冲击电流，因此也要考虑器件的雪崩能量。 该设备主要组成单元有：示波器、程控电源、可选电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压控制、IGBT功率型器件、IGBT功率型器件保护电路、计算机程控系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试夹具、测试标准适配器等 设备优势 采用示波器实时采集记录测试波形，通过高精度、高带宽的柔性电流探头、高压探头直接采集被测器件的雪崩电压和雪崩电流测试数据。测试结果真实准确。 任意电感值采用程控切换方式，测试过程自动快速。 设备具有二极管测试和MOS/IGBT自关断测试两种工作模式。 整体采用轮式机柜集成测试，具有简洁的人机交互界面（计算机）和良好的保护措施，操作简单，移动方便等特点。 波形具有实时显示和保存功能，测试结果数据可转化excel进行保存处理。 二、 使用要求 进线电压： AC220V±10% 功率消耗； 1.5KW 三、 技术指标 电源电压：10-200V 分辨率1V,误差3% 雪崩电压：100-3500V 实测范围值（根据客户要求可定制） 雪崩能量：实测1-100J 实测计算值 雪崩电流：1.0-200A 实测值。分辨率1V,误差3%（根据客户要求可定制测试范围） 电感： 0.1-100mH任选测试值，测试过程自动执行，误差5% 雪崩电压波形：近似方波 脉冲宽度：10uS-10000uS 测试频率：单次、步进 核心业务为半导体功率器件测试设备的研制生产，参数测试设备： 静态参数测试；动态参数（开通关断/反向恢复/短路/安全工作区）测试 等）；雪崩能力测试，老化测试 可控硅/晶闸管（参数测试设备： 静态参数测试；动态参数测；浪涌参数测试；老化可靠性测试（高温阻断）；热阻参数测试。